Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
Homeمحصولاتلوازم جانبی ماژول هوشمند صنعتیمشخصات ماژول حافظه DDR3 UDIMM

مشخصات ماژول حافظه DDR3 UDIMM

نوع پرداخت:
L/C,T/T,D/A
اینکوترم:
FOB,EXW,CIF
حداقل سفارش:
1 Piece/Pieces
حمل و نقل:
Ocean,Air,Express,Land
Share:
چت کن
  • توضیحات محصول
Overview
ویژگی های محصول

مدل شمارهNSO4GU3AB

توانایی تأمین و اطلاع...

حمل و نقلOcean,Air,Express,Land

نوع پرداختL/C,T/T,D/A

اینکوترمFOB,EXW,CIF

Packaging & Delivery
فروش واحد:
Piece/Pieces

4 گیگابایت 1600 مگاهرتز 240 پین DDR3 UDIMM


تاریخچه ویرایشهای

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

جدول اطلاعات سفارش

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


شرح
Hengstar بدون استفاده از DDR3 SDRAM DIMMS (ماژول های حافظه دو خط همزمان DRAM DRAM DRAM DRAM DRAM) ماژول های حافظه با سرعت بالا و با سرعت بالا هستند که از دستگاه های DDR3 SDRAM استفاده می کنند. NS04GU3AB یک محصول 512m x 64 بیتی دو رتبه 4GB DDR3-1600 CL11 1.5V SDRAM بدون محصول DIMM است که بر اساس شانزدهم اجزای FBGA 8 بیتی 256m x. SPD به زمان تاخیر استاندارد JEDEC DDR3-1600 از 11-11-11 در 1.5 ولت برنامه ریزی شده است. هر DIMM 240 پین از انگشتان تماس طلا استفاده می کند. SDRAM DIMM در هنگام نصب در سیستم هایی مانند رایانه های شخصی و ایستگاه های کاری ، برای استفاده به عنوان حافظه اصلی در نظر گرفته شده است.


امکانات
ured منبع تغذیه: VDD = 1.5V (1.425V تا 1.575V)
VDDQ = 1.5V (1.425V تا 1.575V)
800MHz FCK برای 1600MB/SEC/PIN
8 بانک داخلی مستقل
latic قابل برنامه ریزی CAS: 11 ، 10 ، 9 ، 8 ، 7 ، 6
 تأخیر افزودنی قابل برنامه ریزی: 0 ، Cl - 2 یا Cl - 1 ساعت
 8-bit قبل از آن
طول: طول: 8 (Intereave بدون هیچ محدودیتی ، پی در پی با شروع آدرس "000" فقط) ، 4 با TCCD = 4 که اجازه خواندن یا نوشتن یکپارچه را نمی دهد [یا در پرواز با استفاده از A12 یا MRS]
data داده های دیفرانسیل-جهت دار استروب
calibration internal (خود) ؛ خود کالیبراسیون داخلی از طریق پین ZQ (RZQ: 240 اهم 1 ٪)
- با استفاده از پین ODT خاتمه می دهید
- دوره تازه سازی 7.8US در پایین تر از 85 درجه سانتیگراد ، 3.9US در دمای 85 درجه سانتیگراد <tcase <95 درجه سانتیگراد
- تنظیم مجدد مجدد همزمان
-قدرت درایو داده خروجی قابل تنظیم
 تاپولوژی
PCB: ارتفاع 1.18 "(30 میلی متر)
-سازگار و بدون هالوژن


پارامترهای زمان بندی کلیدی

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


جدول خطاب

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


توضیحات پین

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

یادداشت ها جدول توضیحات پین در زیر لیست کاملی از تمام پین های ممکن برای همه ماژول های DDR3 است. تمام پین های ذکر شده در ماه مه در این ماژول پشتیبانی نمی شود. برای اطلاعات خاص این ماژول به تکالیف پین مراجعه کنید.


نمودار بلوک کاربردی

ماژول 4 گیگابایتی ، 512MX64 (2Rank of X8)

1


2


توجه داشته باشید:
1. توپ ZQ در هر مؤلفه DDR3 به مقاومت 1 ٪ 240 ± 1 ٪ که به زمین گره خورده است متصل می شود. از آن برای کالیبراسیون درایور و خروجی بر روی DIE مؤلفه استفاده می شود.



ابعاد ماژول


نمای جلویی

3

نمای جلویی

4

یادداشت:
1. همه ابعاد در میلی متر (اینچ) است. حداکثر/دقیقه یا معمولی (تایپ) که در آن ذکر شد.
2. تحمل در تمام ابعاد 0.15 میلی متر ate مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد.
3. نمودار بعدی فقط برای مرجع است.

دسته بندی محصولات : لوازم جانبی ماژول هوشمند صنعتی

ارسال به این منبع
  • *موضوع:
  • *به:
    Mr. Jummary
  • *پست الکترونیک:
  • *پیام:
    پیام شما باید بین 20 تا 800 کاراکتر باشد
Homeمحصولاتلوازم جانبی ماژول هوشمند صنعتیمشخصات ماژول حافظه DDR3 UDIMM
ارسال پرس و جو
*
*

خانه

Product

Phone

درباره ما

پرس و جو

ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت

اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد

بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.

ارسال